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AS ENERGIThyristor rapide 320 amp, TF433-320 (1000 – 1500V)
| Courant direct moyen, ITAV | 320A |
| Tension, VDRM/VRRM | 1000–1500V |
| Code de tension, VRRM / 100 | 10 – 15 |
| TF433-320 | sur demande
|
| Paquet Dimensions ØD×Ød×H |
PT32 54x32x20 mm |
| Poids | 180 g |
| Fiche technique |  |
Thyristor rapide TF433-320 AS ENERGITM dans la conception du disque est un dispositif semi-conducteur à commutation rapide de type "press pack". Ce thyristor de puissance rapide est conçu pour convertir et contrôler des courants DC et AC jusqu'à 320A avec une fréquence jusqu'à 10kHz dans des circuits avec des tensions jusqu'à 1000V – 1500V (Classe de tension de 10 sur 15). Dimensions du thyristor ØDxØdxH - 54x32x20 mm (diamètre extérieur du boîtier X diamètre de la surface de contact X hauteur du boîtier), poids - 180 g.
Les thyristors rapides sont des dispositifs avec des valeurs tq, trr, Qrr réduites et avec une valeur (diT/dt)cr plus élevée (jusqu'à 2500 A/µs) conçus pour fonctionner à des modes de fréquence plus élevés (jusqu'à 10kHz). Les thyristors rapides se caractérisent par un temps d'arrêt très court qui les distingue des modèles standard. Ils sont utilisés pour le soudage, le chauffage et la fusion par induction, le transport électrique, les entraînements à courant alternatif, les onduleurs et d'autres systèmes nécessitant des temps d'allumage et d'extinction courts. Les thyristors sont dotés d'un boîtier scellé en céramique conforme aux normes industrielles, qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement.
L'anode et la cathode du thyristor (polarité) sont déterminées par le symbole figurant sur le boîtier. Les thyristors rapides se présentent sous la forme d'un disque pressé (capsule, comprimé). Ce thyristor rapide peut être un produit alternatif, de remplacement, analogue, équivalent à d'autres types de thyristors rapides 280A, 290A, 300A, 310A, 320 ampères dans un boîtier en forme de disque.
Pour le refroidissement pendant le fonctionnement des thyristors de puissance, ceux-ci sont montés avec des refroidisseurs (dissipateurs de chaleur). En fonction de la quantité de chaleur générée et des conditions de travail des semi-conducteurs, il est possible d'utiliser un refroidissement par flux d'air naturel ou forcé.
Lors de l'assemblage, il faut prévoir la force de serrage nécessaire Fm spécifique à chaque type de boîtier de thyristor (indiquée dans le tableau des paramètres).
Spécifications et paramètres, fiches techniques PDF, exemple de passeport technique, dimensions, dessins Aperçu, diagrammes de cas thyristors, refroidisseurs recommandés sont listés ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors rapides de 2 ans à partir de la date d'achat. Lors de la fourniture de thyristors, si nécessaire, nous fournissons un passeport technique et un certificat de conformité.
Caractéristiques techniques des thyristors rapides: TF433-320-10 (320A 1000V), TF433-320-12 (320A 1200V), TF433-320-14 (320A 1400V), TF433-320-15 (320A 1500V).
Le prix final des thyristors rapides à disque dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales des thyristors rapides TF433-320:
| Spécifications des thyristors rapides | TF433-320 | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | IT(AV) (Tcase) | 320 A (90°C) 525 A (55°C) |
| Tension de crête répétitive à l'état bloqué; Tension de crête répétitive à l'état inversé | VDRM/VRRM | 1000-1500 V |
| Courant efficace à l'état passant | ITRMS | 502 A |
| Courant de surtension à l'état passant | ITSM | 5.5 kA |
| Facteur de sécurité | I2t | 150 kA2·s |
| Tension de pointe à l'état passant, max | VTM | 2.8 V |
| Courant de pointe à l'état passant | ITM | 1005 A |
| Tension de seuil à l'état pur, max | VT(TO) | 1.618 V |
| Résistance de la pente à l'état pur, max | rT | 1.332 mΩ |
| Temps d'arrêt, max | tq | 10-20 µs |
| Courants de crête répétitifs à l'état bloqué et courants de crête répétitifs à l'état bloqué, max. | IDRM/IRRM | 50 mA |
| Taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué, min | (dVD/dt)cr | 200-2500 V/µs |
| Tension directe de déclenchement de la porte, max | VGT | 2.5 V |
| Courant continu de déclenchement de la porte, max | IGT | 300 mA |
| Taux critique d'augmentation du courant à l'état passant | (diT/dt)cr | 1600 A/µs |
| Température de la jonction p-n, max | Tvj max | 125 ºC |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier, max | Rth(j-c) | 0.040 ºC/W |
| Force de serrage | Fm ±10% | 10 kN |
| Poids, approx. | W | 180 g |
| Type d'emballage, dimensions | ØDxØdxH | PT32 (T.B3) 54x32x20 mm |
| Dissipateurs recommandés | Dissipateurs thermiques | O143, O243, O343, OM103, OM104 |
| Fiche technique | |
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Guide de numérotation des pièces pour les thyristors rapides TF433-320:
| TF | 433 | – | 320 | – | 15 | – | 9 | 4 | 2 |
| TF | – | Thyristor rapide,  AS ENERGITM |
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| 433 | – | Type de thyristor (type de disque). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 320 | – | Courant moyen à l'état ouvert IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15 | – | Classe de tension VRRM / 100 (Tension nominale – 1500 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9 | – | Paramètre du taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dVD/dt)cr:
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| 4 | – | Paramètre du temps de désactivation tq:
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| 2 | – | Paramètre du temps de mise en marche tgt:
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Polarité (anode, cathode, grille) et dimensions du thyristor rapide à disque TF433-320:
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Thyristor rapide TF433-320 Fiche technique:
Télécharger la fiche technique pdf des thyristors TF433-320
Passeport technique pour les thyristors rapides (échantillon):
Lors de la fourniture de thyristors, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.
Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance (thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes de rotor et de soudage, triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau. Vous pouvez acheter des semi-conducteurs dans n'importe quel volume, et lorsque vous commandez de grands lots, le prix sera plus bas.
Nous avons gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.
Pour toute question concernant l'acquisition de Thyristors, Diodes et Modules de puissance, envoyez une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:
Et nous vous fournirons une offre commerciale pour la livraison.
Pour un grand nombre de personnes, nous fournirons un prix individuel!!!
Nous sommes disposés à fabriquer des produits dans nos installations de production en fonction de vos demandes et de vos tâches techniques.
Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Dissipateurs thermiques pour thyristors de puissance rapide à disque:
Les dissipateurs thermiques (radiateurs) sont utilisés pour le refroidissement unilatéral et bilatéral des dispositifs semi-conducteurs de puissance dans la conception des disques.
Les dissipateurs de chaleur des refroidisseurs sont fabriqués à partir de profilés de radiateur en aluminium et ne nécessitent pas de revêtement protecteur supplémentaire lorsqu'ils sont utilisés dans des conditions climatiques variées.
Voir pour plus d'informations sur les dissipateurs: "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS".
Photo du thyristor rapide SCR:
Pourquoi choisir AS ENERGITM
- Installations de production propres, y compris la production de puces en silicium pour semi-conducteurs
- Marque européenne - qualité à 100 %, prix avantageux, délais de production courts
- Plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs
- Des clients de plus de 50 pays nous font confiance
- 20000 articles dans la gamme de produits pour des courants de 10A à 15000A, des tensions de 100V à 9000V
- Nous produisons des analogues de produits d'autres fabricants
- Qualité certifiée garantie, période de garantie de fonctionnement - 2 ans
Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
