Thyristors de puissance rapide 200A – 2000A, Paquet de disques
Le thyristor rapide (TF) AS ENERGITM dans la conception du disque est un dispositif semi-conducteur à commutation rapide de type "press pack". Les thyristors rapides répondent à des exigences telles qu'une résistance di/dt accrue, de faibles pertes de commutation, des temps d'allumage et d'extinction courts. Régulation et conversion de courants DC et AC jusqu'à 2000A à une fréquence allant jusqu'à 10kHz dans des circuits avec des tensions allant jusqu'à 3600V (en fonction de la série).
Les thyristors rapides à disque de puissance de la série TF ont les types suivants (courant): 200 A, 250 A, 320 A, 400 A, 500 A, 630 A, 800 A, 1000 A, 1600 A, 2000 Ampère.
Série de thyristors rapides à disque de haute puissance
Guide de numérotation des pièces pour les thyristors rapides à disque de puissance
Passeport technique pour les thyristors rapides à disque de puissance
Recommandations d'installation pour les thyristors de puissance
Les thyristors rapides sont des dispositifs à tq, trr, Qrr, valeurs ERQ conçues pour fonctionner à des modes de fréquence plus élevés. Les paramètres du thyristor VTM, tq, Qrr sont interconnectés, de sorte qu'une diminution de la valeur de tq et de Qrr entraîne une augmentation de VTM. Les thyristors rapides se caractérisent par un temps d'arrêt très court qui les distingue des modèles standard. Ils sont utilisés pour le soudage, le chauffage et la fusion par induction, le transport électrique, les entraînements à courant alternatif, les onduleurs et d'autres systèmes nécessitant des temps d'allumage et d'extinction courts. Les thyristors sont dotés d'un boîtier scellé en céramique conforme aux normes industrielles, qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement.
La polarité du thyristor est déterminée par l'icône sur le boîtier. Cette page présente des schémas et des circuits de thyristors rapides avec anode, cathode et électrode de contrôle (Gate). Les spécifications techniques, le guide de numérotation des pièces, la polarité, les dimensions et les refroidisseurs recommandés pour les thyristors sont énumérés ci-dessous.
Des dissipateurs thermiques à air et à eau sont utilisés pour refroidir les thyristors. Pour maintenir les pertes électriques au minimum et la dissipation de la chaleur au maximum, le couple nécessaire doit être fourni lors de l'assemblage, ce que l'on appelle la force de pression Fm. La correspondance entre la force de serrage obtenue et celle requise est déterminée par la déflexion de la traverse. Pour une meilleure dissipation de la chaleur du thyristor discret pendant l'assemblage, une pâte conductrice de chaleur est utilisée, ce qui n'est pas une condition préalable à l'installation.
Les thyristors rapides ont un boîtier scellé qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement. Ce thyristor rapide est doté d'un boîtier en forme de disque avec des contacts à pression.
Les thyristors rapides d'AS Energi Global LLC présentent les caractéristiques suivantes: faibles pertes statiques et dynamiques, valeurs élevées de VDRM/VRRM, grande expérience de l'utilisation des dispositifs dans diverses industries, gamme de tensions de 300 à 3600 V et d'ampérages de 200 à 2000 A, haute résistance aux cycles thermiques et électriques, refroidissement naturel ou par air forcé.
Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la livraison de thyristors, nous fournissons, si nécessaire, une déclaration de qualité et un certificat de conformité.
Le prix final des thyristors rapides dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Pour toute question concernant l'acquisition de diodes et de thyristors de haute puissance, veuillez envoyer une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:
Nous vous ferons parvenir une offre commerciale pour la livraison.
Pour un grand nombre de personnes, nous fournirons un prix individuel!!!
Nous sommes disposés à fabriquer des produits dans nos installations de production en fonction de vos demandes et de vos tâches techniques.
Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Série Thyristor rapide à disque:
TF133...TF933 |
TF143...TF943 |
TF153...TF953 |
TF173, TF273 |
Thyristors rapides TF133...TF933 (200A – 500A)
Type | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquet | Dimensions ØDxØdxH |
Fiche technique |
A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
200 A | ||||||||||||||
TF233-200 | 200 (102) | 1000-1500 | 4.5 | 100 | 200-2500 | 1600 | 6.3-12.5 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
TF433-200 | 200 (102) | 1000-1500 | 4.5 | 100 | 200-2500 | 1600 | 6.3-12.5 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
250 A | ||||||||||||||
TF133-250 | 250 (94) | 1600-2400 | 5.0 | 120 | 200-2500 | 1600 | 20-40 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
TF233-250 | 250 (97) | 1000-1500 | 5.4 | 140 | 200-2500 | 1600 | 8-16 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
TF333-250 | 250 (86) | 1600-2400 | 5.0 | 120 | 200-2500 | 1600 | 20-40 | 125 | 0.05 | 10 | 180 100 |
T.B3 PT31 |
54x32x20 47x27x15 |
|
TF433-250 | 250 (97) | 1000-1500 | 5.4 | 140 | 200-2500 | 1600 | 8-16 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
TF833-250 | 250 (94) | 3000 | 5.7 | 162 | 1000 | 1000 | 50-125 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
TF933-250 | 250 (92) | 3000-3600 | 5.4 | 140 | 200-1000 | 1000 | 63-80 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
320 A | ||||||||||||||
TF133-320 | 320 (85) | 1600-2400 | 6.0 | 320 | 200-1000 | 1600 | 25-50 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
TF233-320 | 320 (90) | 1000-1500 | 5.5 | 150 | 200-2500 | 1600 | 10-20 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | T.B2 | 42x25x14 | |
TF333-320 | 320 (85) | 1600-2400 | 6.0 | 170 | 200-1000 | 1600 | 25-40 | 125 | 0.05 | 10 | 180 | T.B3 | 54x32x20 | |
TF433-320 | 320 (90) | 1000-1500 | 5.5 | 150 | 200-2500 | 1600 | 10-20 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 (T.B3) |
54x32x20 | |
400 A | ||||||||||||||
TF133-400 | 400 (85) | 1600-2400 | 6.6 | 210 | 200-1000 | 1600 | 50-63 | 125 | 0.04 | 10 | 110 | PT31-1 (T.B2) |
48x27x15 | |
TF233-400 | 400 (85) | 400-1400 | 6.5 | 200 | 200-1000 | 800 | 20-50 | 125 | 0.04 | 10 | 180 | PT32 | 54x32x20 | |
TF333-400 | 371 (85) | 1400-2400 | 6.6 | 200 | 200-2500 | 1600 | 50-63 | 125 | 0.05 | 10 | 180 100 |
T.B3 PT31 |
54x32x20 47x27x15 |
|
500 A | ||||||||||||||
TF333-500 | 500 (95) | 300-1400 | 7.5 | 280 | 500-1000 | 500 | 32 | 125 | 0.035 | 10 | 100 | PT31 | 47x27x15 |
Thyristors rapides TF143...TF943 (400A – 630A)
Type | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquet | Dimensions ØDxØdxH |
Fiche technique |
A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
400 A | ||||||||||||||
TF143-400 | 400 (88) | 1400-2200 | 8.0 | 320 | 200-1000 | 2000 | 25-50 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
TF243-400 | 400 (94) | 1000-1500 | 9.5 | 450 | 200-2500 | 2000 | 10-20 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
TF943-400 | 400 (85) | 3000-3600 | 7.5 | 600 | 200-1000 | 2000 | 50-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | T.C2 | 60x38x20 | |
500 A | ||||||||||||||
TF143-500 | 500 (85) | 1400-2200 | 9.0 | 400 | 200-1000 | 2000 | 32-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
TF243-500 | 500 (91) | 1000-1500 | 11.0 | 600 | 200-2500 | 2000 | 12.5-25 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
TF343-500 | 550 (85) | 500-1100 | 9.0 | 800 | 500-1000 | 500 | 25 | 125 | 0.028 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
630 A | ||||||||||||||
TF143-630 | 630 (80) | 1400-2200 | 10.0 | 500 | 200-1000 | 2000 | 32-63 | 125 | 0.034 | 15 | 240 | PT42 | 60x38x20 | |
TF243-630 | 630 (84) | 1000-1500 | 11.5 | 660 | 200-2500 | 200 | 16-32 | 125 | 0.03 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 | |
TF343-630 | 630 (90) | 400-1400 | 10.5 | 820 | 500-1000 | 500 | 32 | 125 | 0.028 | 15 | 180 | PT41 | 57x35x14 |
Thyristors rapides TF153...TF953 (630A – 1000A)
Type | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquet | Dimensions ØDxØdxH |
Fiche technique |
A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
630 A | ||||||||||||||
TF153-630 | 630 (85) | 1400-2200 | 16.0 | 1200 | 200-1000 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF253-630 | 630 (85) | 800-1600 | 6.0 | 1600 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF453-630 | 630 (94) | 1400-2200 | 20.0 | 2000 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
TF953-630 | 630 (90) | 3000-3600 | 17.0 | 2400 | 200-2500 | 2000 | 50-63 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
800 A | ||||||||||||||
TF153-800 | 800 (85) | 1400-2200 | 17.0 | 1445 | 200-1000 | 2000 | 20-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF253-800 | 800 (85) | 800-1600 | 8.0 | 1900 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF453-800 | 800 (86) | 1400-2200 | 21.0 | 2200 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 | |
TF553-800 | 800 (85) | 1400-2400 | 15.0 | 2630 | 1000 | 630 | 25-63 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53-1 | 75x51x26 | |
1000 A | ||||||||||||||
TF153-1000 | 1000 (75) | 1400-2200 | 18.0 | 1620 | 200-1000 | 2000 | 20-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF253-1000 | 1000 (85) | 800-1400 | 10.0 | 2100 | 200-1000 | 800 | 25-50 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | PT53 | 75x51x26 | |
TF453-1000 | 1000 (79) | 1400-2200 | 22.0 | 2400 | 200-2500 | 2000 | 20-40 | 125 | 0.021 | 26 | 550 | T.D2 | 75x51x26 |
Thyristors rapides TF173, TF273 (1600A, 2000A)
Type | IT(AV) (Tcase°C) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | dv/dt | di/dt | tq | Tvj max | Rth(j-c) | Fm ±10% |
W | Paquet | Dimensions ØDxØdxH |
Fiche technique |
A | V | kA | kA2·s | V/µs | A/µs | µs | ºC | ºC/W | kN | g | mm | |||
1600 A | ||||||||||||||
TF173-1600 | 1600 (95) | 1600-2800 | 37.0 | 6800 | 200-1000 | 2500 | 50-63 | 125 | 0.008 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 | |
TF173-2000 | 2000 (90) | 2000-2500 | 40.0 | 8000 | 200-1000 | 2500 | 40-63 | 125 | 0.008 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 | |
2000 A | ||||||||||||||
TF273-2000 | 2000 (76) | 1400-2400 | 40.0 | 9300 | 500-1000 | 1000 | 50 | 125 | 0.011 | 45 | 1200 | PT73 | 112x75x26 |
Guide de numérotation des pièces pour les thyristors rapides:
TF | 953 | – | 630 | – | 32 | – | 9 | 5 | 3 |
TF | – | Thyristor rapide, AS ENERGITM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
953 | – | Type de thyristor (type de disque). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
630 | – | Courant moyen à l'état ouvert IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
32 | – | Classe de tension VRRM / 100 (Tension nominale – 3200 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
9 | – | Paramètre du taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5 | – | Paramètre du temps de désactivation tq:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 | – | Paramètre du temps de mise en marche tgt:
|
Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance (thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes de rotor et de soudage, triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau. Vous pouvez acheter des semi-conducteurs dans n'importe quel volume, et lorsque vous commandez de grands lots, le prix sera plus bas.
Nous avons gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.
Pour acheter des thyristors, des diodes et des modules de haute puissance, envoyez une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:
Et nous vous ferons une offre commerciale pour la livraison.
Recommandations d'installation pour les thyristors rapides:
Conseils et recommandations pour les thyristors de puissance:
Les thyristors de puissance ne doivent pas fonctionner pendant de longues périodes à leur charge limite pour tous les paramètres. Dans ce cas, le facteur de sécurité est déterminé par le degré de fiabilité requis de l'appareil.
Remplacer un thyristor de puissance défaillant par un thyristor dont les paramètres correspondent à ceux du thyristor remplacé.
Un surrefroidissement doit être prévu lorsque l'appareil est utilisé dans un environnement où la température ambiante est élevée.
Il est recommandé de nettoyer périodiquement les thyristors de puissance et les refroidisseurs pour éliminer la poussière et les contaminants afin d'assurer une bonne dissipation de la chaleur.
Des diviseurs de courant inductifs (souvent des fils toroïdaux torsadés) doivent être utilisés pour égaliser les courants entre les thyristors de puissance connectés en parallèle. Les méthodes de connexion les plus courantes sont le circuit fermé, le circuit à bobine commune ou le thyristor de puissance. L'efficacité des diviseurs de courant dans ce cas est déterminée par la section du fil magnétique.
La prévention du déséquilibre de la tension lorsque les thyristors de puissance sont connectés en série est obtenue en utilisant des résistances shunt connectées en parallèle avec chaque thyristor. L'égalisation de la tension dans les conditions transitoires est assurée en connectant des condensateurs en parallèle à chaque thyristor.
Il est strictement interdit de toucher les thyristors de puissance sous haute tension pendant leur fonctionnement.
Conseils et recommandations pour les thyristors de puissance:
Les thyristors de puissance ne doivent pas fonctionner pendant de longues périodes à leur charge limite pour tous les paramètres. Dans ce cas, le facteur de sécurité est déterminé par le degré de fiabilité requis de l'appareil.
Remplacer un thyristor de puissance défaillant par un thyristor dont les paramètres correspondent à ceux du thyristor remplacé.
Un surrefroidissement doit être prévu lorsque l'appareil est utilisé dans un environnement où la température ambiante est élevée.
Il est recommandé de nettoyer périodiquement les thyristors de puissance et les refroidisseurs pour éliminer la poussière et les contaminants afin d'assurer une bonne dissipation de la chaleur.
Des diviseurs de courant inductifs (souvent des fils toroïdaux torsadés) doivent être utilisés pour égaliser les courants entre les thyristors de puissance connectés en parallèle. Les méthodes de connexion les plus courantes sont le circuit fermé, le circuit à bobine commune ou le thyristor de puissance. L'efficacité des diviseurs de courant dans ce cas est déterminée par la section du fil magnétique.
La prévention du déséquilibre de la tension lorsque les thyristors de puissance sont connectés en série est obtenue en utilisant des résistances shunt connectées en parallèle avec chaque thyristor. L'égalisation de la tension dans les conditions transitoires est assurée en connectant des condensateurs en parallèle à chaque thyristor.
Il est strictement interdit de toucher les thyristors de puissance sous haute tension pendant leur fonctionnement.
Pourquoi choisir AS ENERGITM
- Installations de production propres, y compris la production de puces en silicium pour semi-conducteurs
- Marque européenne - qualité à 100 %, prix avantageux, délais de production courts
- Plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs
- Des clients de plus de 50 pays nous font confiance
- 20000 articles dans la gamme de produits pour des courants de 10A à 15000A, des tensions de 100V à 9000V
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Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
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