Thyristor rapide 500 amp, TF333-500 (300 – 1400V)

Courant direct moyen, ITAV 500A
Tension, VDRM/VRRM 300–1400V
Code de tension, VRRM / 100 3 – 14
TF333-500 sur demande
+
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Paquet
Dimensions ØDרd×H
PT31
47x27x15 mm
Poids 100 g
Fiche technique Fiche technique

Thyristor rapide TF333-500 AS ENERGITM dans la conception du disque est un dispositif semi-conducteur à commutation rapide de type "press pack". Ce thyristor de puissance rapide est conçu pour convertir et contrôler des courants DC et AC jusqu'à 500A avec une fréquence jusqu'à 10kHz dans des circuits avec des tensions jusqu'à 300V – 1400V (Classe de tension de 3 sur 14). Dimensions du thyristor ØDxØdxH - 47x27x15 mm (diamètre extérieur du boîtier X diamètre de la surface de contact X hauteur du boîtier), poids - 100 g.

Les thyristors rapides sont des dispositifs avec des valeurs tq, trr, Qrr réduites et avec une valeur (diT/dt)cr plus élevée (jusqu'à 2500 A/µs) conçus pour fonctionner à des modes de fréquence plus élevés (jusqu'à 10kHz). Les thyristors rapides se caractérisent par un temps d'arrêt très court qui les distingue des modèles standard. Ils sont utilisés pour le soudage, le chauffage et la fusion par induction, le transport électrique, les entraînements à courant alternatif, les onduleurs et d'autres systèmes nécessitant des temps d'allumage et d'extinction courts. Les thyristors sont dotés d'un boîtier scellé en céramique conforme aux normes industrielles, qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement.

L'anode et la cathode du thyristor (polarité) sont déterminées par le symbole figurant sur le boîtier. Les thyristors rapides se présentent sous la forme d'un disque pressé (capsule, comprimé). Ce thyristor rapide peut être un produit alternatif, de remplacement, analogue, équivalent à d'autres types de thyristors rapides 450A, 470A, 490A, 500 ampères dans un boîtier en forme de disque.

Pour le refroidissement pendant le fonctionnement des thyristors de puissance, ceux-ci sont montés avec des refroidisseurs (dissipateurs de chaleur). En fonction de la quantité de chaleur générée et des conditions de travail des semi-conducteurs, il est possible d'utiliser un refroidissement par flux d'air naturel ou forcé.

Lors de l'assemblage, il faut prévoir la force de serrage nécessaire Fm spécifique à chaque type de boîtier de thyristor (indiquée dans le tableau des paramètres).

Spécifications et paramètres, fiches techniques PDF, exemple de passeport technique, dimensions, dessins Aperçu, diagrammes de cas thyristors, refroidisseurs recommandés sont listés ci-dessous.

Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors rapides de 2 ans à partir de la date d'achat. Lors de la fourniture de thyristors, si nécessaire, nous fournissons un passeport technique et un certificat de conformité.

Caractéristiques techniques des thyristors rapides: TF333-500-3 (500A 300V), TF333-500-4 (500A 400V), TF333-500-5 (500A 500V), TF333-500-6 (500A 600V), TF333-500-7 (500A 700V), TF333-500-8 (500A 800V), TF333-500-9 (500A 900V), TF333-500-10 (500A 1000V), TF333-500-12 (500A 1200V), TF333-500-14 (500A 1400V).

En savoir plus

Le prix final des thyristors rapides à disque dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.


Spécifications générales des thyristors rapides TF333-500:

Spécifications des thyristors rapides TF333-500
Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) IT(AV) (Tcase) 500 A (95°C)
Tension de crête répétitive à l'état bloqué; Tension de crête répétitive à l'état inversé VDRM/VRRM 300-1400 V
Courant efficace à l'état passant ITRMS 877 A
Courant de surtension à l'état passant ITSM 7.5 kA
Facteur de sécurité I2t 280 kA2·s
Tension de pointe à l'état passant, max VTM 2.10 V
Courant de pointe à l'état passant ITM 1570 A
Tension de seuil à l'état pur, max VT(TO) 1.00 V
Résistance de la pente à l'état pur, max rT 0.50 mΩ
Temps d'arrêt, max tq 32 µs
Courants de crête répétitifs à l'état bloqué et courants de crête répétitifs à l'état bloqué, max. IDRM/IRRM 50 mA
Taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué, min (dVD/dt)cr 500-1000 V/µs
Tension directe de déclenchement de la porte, max VGT 2.5 V
Courant continu de déclenchement de la porte, max IGT 250 mA
Taux critique d'augmentation du courant à l'état passant (diT/dt)cr 500 A/µs
Température de la jonction p-n, max Tvj max 125 ºC
Résistance thermique, de la jonction au boîtier, max Rth(j-c) 0.035 ºC/W
Force de serrage Fm ±10% 10 kN
Poids, approx. W 100 g
Type d'emballage, dimensions ØDxØdxH PT31
47x27x15 mm
Dissipateurs recommandés Dissipateurs thermiques O143, O243, O343, OM103, OM104
Fiche technique PDF PDF

Guide de numérotation des pièces pour les thyristors rapides TF333-500:

TF 333 500 14 9 4 2
TF Thyristor rapide, brand AS ENERGITM
333 Type de thyristor (type de disque).
500 Courant moyen à l'état ouvert IT(AV), Amp.
14 Classe de tension VRRM / 100  (Tension nominale – 1400 V).
9 Paramètre du taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dVD/dt)cr:
Codage alphanumérique 0 P3 E3 A3 P2 K2 Е2 A2 T1 P1 M1
Codage numérique 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Valeur, V/µs non normalisé 20 50 100 200 320 500 1000 1600 2000 2500
4 Paramètre du temps de désactivation tq:
Codage alphanumérique 0 C3 E3 H3 K3 M3 P3 T3 X3 A4 B4 C4 E4
Codage numérique 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Valeur, µs non normalisé 63 50 40 32 25 20 16 12.5 10 8 6.3 5
2 Paramètre du temps de mise en marche tgt:
Codage alphanumérique 0 T3 A4 B4 C4 H4 K4 M4 P4 T4 X4 A5 C5
Codage numérique 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Valeur, µs non normalisé 16 10 8 6.3 4 3.2 2.5 2.0 1.6 1.25 1.0 0.63

Polarité (anode, cathode, grille) et dimensions du thyristor rapide à disque TF333-500:

Thyristor polarity Dimensions

Thyristor rapide TF333-500 Fiche technique:

PDFTélécharger la fiche technique pdf des thyristors TF333-500


Passeport technique pour les thyristors rapides (échantillon):

Lors de la fourniture de thyristors, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.

  • Technical Passport
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Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM

Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance (thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes de rotor et de soudage, triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau. Vous pouvez acheter des semi-conducteurs dans n'importe quel volume, et lorsque vous commandez de grands lots, le prix sera plus bas.
Nous avons gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.

Pour toute question concernant l'acquisition de Thyristors, Diodes et Modules de puissance, envoyez une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:

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Galerie de photos

Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.


Dissipateurs thermiques pour thyristors de puissance rapide à disque:

Les dissipateurs thermiques (radiateurs) sont utilisés pour le refroidissement unilatéral et bilatéral des dispositifs semi-conducteurs de puissance dans la conception des disques.

Les dissipateurs de chaleur des refroidisseurs sont fabriqués à partir de profilés de radiateur en aluminium et ne nécessitent pas de revêtement protecteur supplémentaire lorsqu'ils sont utilisés dans des conditions climatiques variées.

Voir pour plus d'informations sur les dissipateurs: "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS".


Photo du thyristor rapide SCR:


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Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.

Certificats

Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.

Rapport d'essai

Géographie du partenariat

AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.

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Logistique et livraison

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Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.

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AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs

Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.

Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.


Produits vedettes:

 

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