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AS ENERGIIGBT Module SKM200GB12V (200A 1200V) Semikron Remplacement
| Numéro de pièce Semikron | SKM200GB12V |
| Courant nominal de collecteur, ICnom | 200А |
| Tension collecteur-émetteur, VCES | 1200V |
| Paquet, Dimensions L×B×H | Paquet 3 106x62x31 mm |
| Fiche technique |  |
| Remplacement AS ENERGITM | AMM200GB12V |
| Ajouter au panier | sur demande
|
IGBT Module AMM200GB12V AS ENERGITM est un remplacement, un analogue, une alternative et un équivalent pour le module IGBT SKM200GB12V SEMIKRON (boîtier SEMITRANS). Courant nominal de collecteur ICnom – 200 ampère, courant collecteur continu IC – 311 ampère, tension collecteur-émetteur VCES – 1200V. Commutateurs - Un demi-pont.
Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant.
Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont utilisés comme éléments de commutation pour les convertisseurs de puissance des entraînements à vitesse variable pour les moteurs, les entraînements à inverseur CA, les onduleurs, les soudeuses électroniques, les hacheurs de freinage, les alimentations sans interruption, et autres. Les topologies disponibles comprennent le demi-pont, l'interrupteur simple, le sixpack, le 3-niveaux et bien d'autres encore, couvrant ainsi tous les domaines d'application.
Le module de puissance IGBT devient le dispositif préféré pour les applications de haute puissance en raison de sa capacité à améliorer les performances en matière de commutation, de température, de poids et de coût.
Les spécifications techniques du module IGBT SKM200GB12V et AMM200GB12V, fiche technique pdf, topologie de la connexion interne, schéma et dimensions sont listées ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les modules IGBT de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la fourniture de modules IGBT, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des modules IGBT dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales du module IGBT SKM200GB12V Semikron et remplacement:
| IGBT module spécifications | SKM200GB12V | |
| IGBT | ||
| Courant nominal de collecteur | ICnom | 200 A |
| Courant continu du collecteur (température du boîtier) | IC | 311 A (25ºC) |
| Tension collecteur-émetteur | VCES | 1200 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 1.76 V |
| Dissipation d'énergie lors de la mise sous tension | Eon | 14 mJ |
| Dissipation d'énergie pendant l'arrêt | Eoff | 22 mJ |
| Diode | ||
| Courant direct continu en courant continu (température du boîtier) | IF | 229 A (25ºC) |
| Tension directe (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.20 V |
| Dissipation d'énergie lors de la récupération inverse (diode) | Err | 13 mJ |
| Module | ||
| Topologie du circuit | - | |
| Interrupteurs | - | Un demi-pont |
| Poids | W | 0.325 kg |
| Dessin, emballage, dimensions, mm | L×B×H | Paquet 3 106x62x31 |
| Remplacement AS ENERGITM | type | AMM200GB12V |
| Fiche technique | |
|
Guide de numérotation des pièces pour les modules IGBT :
| A | M | M | 200 | GB | 12 | V |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Groupe de produits: Module. |
| M | – | Type de semi-conducteur: Module IGBT. |
| 200 | – | Courant nominal de collecteur ICnom, Amp. |
| GB | – | Topologie de la connexion interne. |
| 12 | – | Classe de tension collecteur-émetteur VCES / 100. |
| V | – | Caractéristiques, par exemple caractéristiques de la puce IGBT, numéro de référence interne. |
Dimensions du module IGBT SKM200GB12V et du module de remplacement AMM200GB12V:
Paquet 3
Schéma de circuit du module IGBT SKM200GB12V et du module de remplacement AMM200GB12V:
Topologie GB
Semi-conducteurs de haute puissance par AS ENERGI
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Galerie de photos
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Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
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Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
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Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
