Thyristor rapide VS-ST733C08LFM0 Vishay Remplacement
| Numéro de pièce Vishay | VS-ST733C08LFM0 |
| Courant moyen à l'état passant, IT(AV)M (TC) | 940A (55ºC) |
| Tension, VDRM/VRRM | 800 V |
| Dimensions ØDxØdxH | 58x34x27 mm |
| Fiche technique | |
| Remplacement AS ENERGITM | ASTD733C08LFM0 |
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Thyristor rapide ASTD733C08LFM0 AS ENERGITM est un dispositif semi-conducteur de remplacement, analogue, alternatif et équivalent pour les thyristors de type onduleur VS-ST733C08LFM0 Vishay Semiconductors.
Courant moyen à l'état passant ITAV – 940 ampère, tension de blocage répétitive de crête avant et arrière VDRM/VRRM – 800V. Les thyristors à extinction rapide sont conçus pour convertir et contrôler les courants continus et alternatifs. "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS" pour le refroidissement des thyristors sont également disponibles sur commande.
Thyristors discrets rapides sont des dispositifs avec des valeurs tq, trr, Qrr réduites et avec une valeur plus élevée (diT/dt)crit (jusqu'à 2500 A/µs) conçus pour fonctionner à des modes de fréquence plus élevés. Les thyristors de qualité onduleur se caractérisent par un temps de coupure très faible qui les distingue des modèles standard. Ils sont utilisés dans les onduleurs, les hacheurs, les systèmes de chauffage et de fusion par induction, les transports électriques, les entraînements à courant alternatif, les onduleurs et d'autres systèmes nécessitant des temps d'allumage et d'extinction courts. Les thyristors sont dotés d'un boîtier scellé en céramique conforme aux normes industrielles, qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement.
Caractéristiques: Boîtier céramique standard press pack; conçu pour les applications industrielles et de transmission de puissance; optimisé pour une faible chute de tension à l'état passant; apparié Qrr et VT valeurs disponibles pour les connexions en série et/ou en parallèle. L'anode et la cathode du thyristor (polarité) sont déterminées par le symbole figurant sur le boîtier.
Thyristors AS ENERGITM présentent les caractéristiques suivantes: faibles pertes statiques et dynamiques, valeurs élevées de VDRM/VRRM, vaste expérience d'utilisation des appareils dans diverses industries, gamme de tensions de 100 à 9000 V et d'ampérages de 100 à 15000 A, haute résistance aux cycles thermiques et électriques, refroidissement naturel ou par air forcé.
Les spécifications et les paramètres, la fiche technique PDF, les dimensions et les dessins sont énumérés ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la fourniture de thyristors, si nécessaire, nous fournissons un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des thyristors à disque rapide dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales des Thyristors discrets rapides Vishay et Remplacements:
| Spécifications des thyristors rapides | VS-ST733C08LFM0 | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | IT(AV)M (TC) | 940 A (55ºC) |
| Tension répétitive pulsée à l'état fermé; tension répétitive pulsée à l'état inverse | VDRM/VRRM | 800 V |
| Courant de surtension à l'état passant | ITSM | 20000 A |
| Facteur de sécurité | I2t | 2000 kA2·s |
| Tension de seuil | VT0 | 1.20 V |
| Résistance de la pente à l'état pur | rT | 0.29 mΩ |
| Tension de pointe à l'état passant | VTM | 1.63 V |
| Courant de pointe à l'état passant | ITM | 1700 A |
| Courant efficace à l'état passant | ITRMS | 1900 A |
| Temps de désactivation, max | tq | 10-20 µs |
| Température de la jonction p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier | Rth(j-c) | 0.009 K/W |
| Force de serrage | Fm ± 10 % | 14.7 kN |
| Poids | W | 255 g |
| Paquet (boîtier) | type | B-PUK (TO-200AC) |
| Dimensions | ØDxØdxH | 58x34x27 mm |
| Remplacement AS ENERGITM | type | ASTD733C08LFM0 |
| Fiche technique | ||
Guide de numérotation des pièces pour Thyristors discrets rapides:
| AS | TD | 73 | 3 | C | 08 | L | F | M | 0 |
| AS | – | |||||||||||||||||
| TD | – | Groupe de produits: Thyristor à disque discret. | ||||||||||||||||
| 73 | – | Numéro de pièce essentiel. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Thyristor à extinction rapide. | ||||||||||||||||
| C | – | Céramique PUK. | ||||||||||||||||
| 08 | – | Classe de tension VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| L | – | Type de boîtier: B-PUK (TO-200AC). | ||||||||||||||||
| F | – | Paramètre du taux critique d'augmentation de la tension à l'état
bloqué (dVD/dt)crit:
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| M | – | Paramètre du temps de désactivation tq:
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| 0 | – | Bornes d'allumage rapide (fils non soudés de la porte et de la cathode auxiliaire). |
Polarité (anode, cathode, grille) des thyristors de disques de puissance:
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Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance
(thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes d'avalanche, de rotor et de soudage,
triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que
des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Vous pouvez acheter des dispositifs à semi-conducteur dans
n'importe quel volume, et lorsque vous commandez des lots importants, le prix sera plus bas. Nous avons
gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.
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Nous sommes disposés à fabriquer des produits dans nos installations de production en fonction de vos demandes et de vos tâches techniques.
Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Dissipateurs thermiques pour thyristors à disque de puissance:
Les dissipateurs de chaleur (radiateurs) sont utilisés pour le refroidissement unilatéral et bilatéral des dispositifs semi-conducteurs de puissance dans la conception des disques.
Les dissipateurs de chaleur des refroidisseurs sont fabriqués à partir de profilés de radiateur en aluminium et ne nécessitent pas de revêtement protecteur supplémentaire lorsqu'ils sont utilisés dans des conditions climatiques variées.
Des dissipateurs de chaleur à air et à eau pour le refroidissement des thyristors sont également disponibles sur commande.
Voir pour plus d'informations sur les dissipateurs: "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS".
Photo du thyristor à contrôle de phase SCR:
Pourquoi choisir AS ENERGITM
- Installations de production propres, y compris la production de puces en silicium pour semi-conducteurs
- Marque européenne - qualité à 100 %, prix avantageux, délais de production courts
- Plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs
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- 20000 articles dans la gamme de produits pour des courants de 10A à 15000A, des tensions de 100V à 9000V
- Nous produisons des analogues de produits d'autres fabricants
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Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:

Ukraine (UA)
Allemagne (DE)
Italie (IT)
Inde (EN)
Turquie (TR)
France (FR)
Japon (JP)
Corée du Sud (KR)


























































