Thyristor rapide 100A amp, TF351-100 (500V-1100V), Type de goujon
| Courant direct moyen, ITAV | 100A |
| Tension, VDRM/VRRM | 500-1100V |
| Code de tension, VRRM / 100 | 5 - 11 |
| TF351-100 | sur demande |
| Paquet Fil |
ST5 M12x1.75 |
| Poids | 150 g |
| Fiche technique |
Thyristor rapide TF351-100 AS ENERGITM en goujon est un dispositif semi-conducteur à commutation rapide, conçu pour convertir et contrôler des courants continus et alternatifs jusqu'à 100A avec une fréquence jusqu'à 10kHz dans des circuits avec des tensions jusqu'à 500V - 1100V (classe de tension de 5 à 11). Type de boîtier du thyristor - ST5, filetage standard de montage M12x1.75, (sur demande, filetage UNF 1/2"-20UNF-2A), poids – 150 g.
Les thyristors rapides sont des dispositifs avec des valeurs tq, trr, Qrr réduites et avec une valeur (diT/dt)cr plus élevée (jusqu'à 2500 A/µs) conçus pour fonctionner à des modes de fréquence plus élevés (jusqu'à 10kHz). Les paramètres du thyristor VTM, tq, Qrr sont interconnectés, de sorte qu'une diminution de la valeur de tq et de Qrr entraîne une augmentation de VTM. Les thyristors rapides se caractérisent par un temps d'arrêt très court qui les distingue des modèles standard. Ils sont utilisés pour le soudage, le chauffage et la fusion par induction, le transport électrique, les entraînements à courant alternatif, les onduleurs et d'autres systèmes nécessitant des temps d'allumage et d'extinction courts. Les thyristors sont dotés d'un boîtier scellé en céramique conforme aux normes industrielles, qui isole la partie fonctionnelle et l'élément semi-conducteur des impacts mécaniques et de l'environnement.
Les thyristors rapides sont fournis sous forme de goujon. La base du thyristor est l'anode, le câble d'alimentation flexible est la cathode, le fil flexible sortant de la base du câble d'alimentation est la cathode auxiliaire, le fil flexible sortant du boîtier est l'électrode de contrôle (Gate). Ce thyristor peut être un produit alternatif, de remplacement, analogue, équivalent à d'autres types de thyristors rapides 80A, 90A, 100 amp dans un boîtier à goujon.
Des dissipateurs thermiques à air et à eau sont utilisés pour refroidir les thyristors. Pour assurer un contact thermique et électrique fiable avec le dissipateur, un couple de serrage Md doit être respecté lors de l'assemblage. Pour une meilleure dissipation de la chaleur du thyristor pendant l'assemblage, on utilise une pâte conductrice de chaleur.
Spécifications et paramètres, Fiche techniques PDF, exemple de passeport technique, dimensions, Aperçu dessins, diagrammes de cas thyristors, refroidisseurs recommandés sont listés ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors rapides de 2 ans à partir de la date d'achat. Lors de la fourniture de thyristors, si nécessaire, nous fournissons un passeport technique et un certificat de conformité.
Valeurs nominales des thyristors à enclenchement rapide: TF351-100-5 (100A 500V), TF351-100-6 (100A 600V), TF351-100-7 (100A 700V), TF351-100-8 (100A 800V), TF351-100-9 (100A 900V), TF351-100-10 (100A 1000V), TF351-100-11 (100A 1100V).
Le prix final des thyristors rapides dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales des thyristors rapides à plots TF351-100:
| Spécifications des thyristors rapides | TF351-100 | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | IT(AV) (Tcase) | 100 A (83°C) |
| Tension de crête répétitive à l'état bloqué; Tension de crête répétitive à l'état inversé | VDRM/VRRM | 500-1100 V |
| Courant efficace à l'état passant | ITRMS | 157 A |
| Courant de surtension à l'état passant | ITSM | 2.0 kA |
| Facteur de sécurité | I2t | 20 kA2·s |
| Tension de pointe à l'état passant, max | VTM | 1.85 V |
| Courant de pointe à l'état passant | ITM | 314 A |
| Tension de seuil à l'état pur, max | VT(TO) | 1.30 V |
| Résistance de la pente à l'état pur, max | rT | 1.500 mΩ |
| Temps de désactivation, max | tq | 25-40 µs |
| Courants de crête répétitifs à l'état bloqué et courants de crête répétitifs à l'état bloqué, max. | IDRM/IRRM | 20 mA |
| Taux critique d'augmentation de la tension à l'arrêt, min | (dVD/dt)cr | 1000 V/µs |
| Tension directe de déclenchement de la porte, max | VGT | 3.5 V |
| Courant continu de déclenchement de la porte, max | IGT | 250 mA |
| Taux critique d'augmentation du courant à l'état passant | (diT/dt)cr | 500 A/µs |
| Température de la jonction p-n, max | Tvj max | 125 ºC |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier, max | Rth(j-c) | 0.023 ºC/W |
| Couple de montage | Md | 10-20 N·m |
| Poids, approx. | W | 150 g |
| Type d'emballage, filetage | Aperçu | ST5 M12x1.75 |
| Dissipateurs recommandés | Dissipateurs thermiques | O151 |
| Fiche technique | ||
Guide de numérotation des pièces pour les thyristors rapides TF351-100:
| TF | 351 | – | 100 | – | 11 | – | 7 | 6 | 3 |
| TF | – | Thyristor rapide, |
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| 351 | – | Type de thyristor (type de goujon). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 100 | – | Courant moyen à l'état ouvert IT(AV), Amp. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 11 | – | Classe de tension VRRM / 100 (Tension nominale – 1100 V). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7 | – | Paramètre du taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dVD/dt)cr:
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| 6 | – | Paramètre du temps de désactivation tq:
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| 3 | – | Paramètre du temps d'activation tgt:
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Tous les numéros de pièces de TF351-100:
| Série | ITAV, A | VRRM, V |
| TF351-100-5 | 100A | 500V |
| TF351-100-6 | 100A | 600V |
| TF351-100-7 | 100A | 700V |
| TF351-100-8 | 100A | 800V |
| TF351-100-9 | 100A | 900V |
| TF351-100-10 | 100A | 1000V |
| TF351-100-11 | 100A | 1100V |
Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance (thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes de rotor et de soudage, triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau. Vous pouvez acheter des semi-conducteurs dans n'importe quel volume, et lorsque vous commandez de grands lots, le prix sera plus bas.
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Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Dissipateurs thermiques pour thyristors rapides de puissance:
Les dissipateurs de chaleur (radiateurs) sont utilisés pour refroidir les dispositifs semi-conducteurs de puissance dans la conception de l'étalon.
Les dissipateurs de chaleur des refroidisseurs sont fabriqués à partir de profilés de radiateur en aluminium et ne nécessitent pas de revêtement protecteur supplémentaire lorsqu'ils sont utilisés dans des conditions climatiques variées.
Voir pour plus d'informations sur les dissipateurs: "Dissipateurs de chaleur refroidis à l'air pour les dispositifs de fixation".
Pourquoi choisir AS ENERGITM
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Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
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Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
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AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:

Ukraine (UA)
Allemagne (DE)
Italie (IT)
Inde (EN)
Turquie (TR)
France (FR)
Japon (JP)
Corée du Sud (KR)
























































