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AS ENERGIThyristor T210N 2...6 Numéro de pièce OLD Infineon Remplacement
| Infineon OLD Numéro de pièce | T210N |
| Courant moyen à l'état passant, IT(AV)M (TC) | 210A (100ºC) |
| Tension, VDRM/VRRM | 200-600 V |
| Dimensions | 210SW27M12 |
| Fiche technique |  |
| Remplacement AS ENERGITM | ATS210N |
| Ajouter au panier | sur demande
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Thyristor à plots de contrôle de phase ATS210N AS ENERGITM est un dispositif semi-conducteur de remplacement, analogue, alternatif et équivalent pour le thyristor SCR T210N 2...6 (ancien numéro de pièce) Infineon Technologies, Eupec.
Valeurs nominales des thyristors de contrôle de phase: T210N 200V, T210N 400V, T210N 600V.
Courant moyen à l'état passant ITAV – 86 ampère, tension de blocage répétitive de crête avant et arrière VDRM/VRRM – 200-600 V. Les thyristors à contrôle de phase sont conçus pour convertir et contrôler les courants continus et alternatifs. "Dissipateurs de chaleur refroidis par air série O pour dispositifs à plots" pour le refroidissement des thyristors sont également disponibles sur commande.
Des dissipateurs thermiques à air et à eau sont utilisés pour refroidir les thyristors. Pour assurer un contact thermique et électrique fiable avec le dissipateur, un couple de serrage Md doit être respecté lors de l'assemblage. Pour une meilleure dissipation de la chaleur du thyristor pendant l'assemblage, une pâte conductrice de chaleur est utilisée (il s'agit d'une recommandation et non d'une condition préalable à l'installation).
Caractéristiques : les thyristors sont fournis sous forme de goujon. La base du thyristor est l'anode, le fil d'alimentation flexible est la cathode, le fil flexible sortant de la base du fil d'alimentation est la cathode auxiliaire, le fil flexible sortant du boîtier est l'électrode de contrôle (grille). Ces thyristors se distinguent par leur capacité à être utilisés sur des pièces mobiles.
Les thyristors présentent les caractéristiques suivantes : faibles pertes statiques et dynamiques, valeurs élevées de VDRM/VRRM, vaste expérience de l'utilisation des dispositifs dans diverses industries, gamme de tensions de 100 à 9000 V et d'ampérages de 100 à 15000 A, résistance élevée aux cycles thermiques et électriques, refroidissement naturel ou par air forcé.
Les spécifications et paramètres, Fiche technique PDF, dimensions, dessins sont listés ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les thyristors de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la fourniture de thyristors, si nécessaire, nous fournissons un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des thyristors à plots de contrôle de phase dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales de OLD Part Number Phase Control Stud Thyristor Infineon and Replacement:
| Spécifications des thyristors | T210N | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | IT(AV)M (TC) | 210 A (100 |
| Tension répétitive pulsée à l'état fermé; tension répétitive pulsée à l'état inverse | VDRM/VRRM | 200-600 V |
| Courant RMS à l'état passant | ITRMSM | 330 A |
| Courant de surtension à l'état passant | ITSM | 5.5 kA |
| Facteur de sécurité | I2t | 151 kA2·s |
| Tension de seuil | VT0 | 0.80 V |
| Résistance de la pente à l'état pur | rT | 0.85 mΩ |
| Taux critique d'augmentation du courant à l'état passant | (diT/dt)cr | 200 A/µs |
| Temps de désactivation, max | tq | 200 µs |
| Taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué, min | (dVD/dt)cr | 1000 V/µs |
| Tension directe de déclenchement de la porte, max | VGT | 1.4 V |
| Courant continu de déclenchement de la porte, max | IGT | 150 mA |
| Température de la jonction p-n | Tvj max | 140 ºC |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier | Rth(j-c) | 0.1500 ºC/W |
| Dimensions | mm | 210SW27M12 |
| Remplacement AS ENERGITM | type | ATS210N |
| Fiche technique | |
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Guide de numérotation des pièces pour les thyristors à commande de phase:
| A | TS | 210 | N | 6 | E | O | F |
| A | – |  AS ENERGITM |
| TS | – | Groupe de produits: Goujon thyristor. |
| 210 | – | Courant moyen à l'état passant IT(AV), Amp. |
| N | – | Dispositif de contrôle de phase. |
| 6 | – | Classe de tension VRRM / 100. |
| E | – | Type de boîtier (emballage): boîtier à colombages. |
| O | – | Temps d'arrêt tq: non garanti. |
| F | – | dv/dt classe: С: 500 V/μs F: 1000 V/μs H: 2000 V/μs |
Polarité (anode, cathode, grille) des thyristors de puissance:
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Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance (thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes d'avalanche, de rotor et de soudage, triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Vous pouvez acheter des dispositifs à semi-conducteur dans n'importe quel volume, et lorsque vous commandez des lots importants, le prix sera plus bas. Nous avons gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.
Pour toute question concernant l'acquisition de Thyristors, Diodes et Modules de puissance, envoyez une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:
Et nous vous fournirons une offre commerciale pour la livraison.
Pour un grand nombre de personnes, nous fournirons un prix individuel!!!
Nous sommes disposés à fabriquer des produits dans nos installations de production en fonction de vos demandes et de vos tâches techniques.
Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Recommandations d'installation pour les thyristors montés sur goujon de puissance:
La fiabilité du transfert de chaleur et du contact électrique entre les surfaces de contact du thyristor et du refroidisseur sur toute la plage de température est assurée par un couple approprié.
Avant l'assemblage, vous devez effectuer une inspection visuelle (1) des surfaces de contact pour détecter les dommages mécaniques et les essuyer (2), imbibés d'alcool (toluène, essence, acétone).
Pour améliorer les paramètres de transfert de chaleur, il est recommandé de lubrifier (3) une fine couche de pâte silicone conductrice de chaleur avant l'assemblage, ce qui n'est pas une condition obligatoire pour l'installation.
Après l'installation, les fixations (écrous et rondelles) doivent être protégées contre la corrosion.
Conseils et recommandations pour les thyristors de puissance:
Les thyristors de puissance ne doivent pas fonctionner pendant de longues périodes à leur charge limite pour tous les paramètres. Dans ce cas, le facteur de sécurité est déterminé par le degré de fiabilité requis du dispositif.
Remplacer un thyristor de puissance défaillant par un thyristor dont les paramètres correspondent à ceux du thyristor remplacé.
Un surrefroidissement doit être prévu lorsque l'appareil est utilisé dans un environnement où la température ambiante est élevée.
Il est recommandé de nettoyer périodiquement les thyristors de puissance et les refroidisseurs pour éliminer la poussière et les contaminants afin d'assurer une bonne dissipation de la chaleur.
Des diviseurs de courant inductifs (souvent des fils toroïdaux torsadés) doivent être utilisés pour égaliser les courants entre les thyristors de puissance connectés en parallèle. Les méthodes de connexion les plus courantes sont le circuit fermé, le circuit à bobine commune ou le thyristor de puissance. L'efficacité des diviseurs de courant dans ce cas est déterminée par la section du fil magnétique.
La prévention du déséquilibre de la tension lorsque les thyristors de puissance sont connectés en série est obtenue en utilisant des résistances shunt connectées en parallèle avec chaque thyristor. L'égalisation de la tension dans les conditions transitoires est assurée en connectant des condensateurs en parallèle à chaque thyristor.
Il est strictement interdit de toucher les thyristors de puissance sous haute tension pendant leur fonctionnement.
Pourquoi choisir AS ENERGITM
- Installations de production propres, y compris la production de puces en silicium pour semi-conducteurs
- Marque européenne - qualité à 100 %, prix avantageux, délais de production courts
- Plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs
- Des clients de plus de 50 pays nous font confiance
- 20000 articles dans la gamme de produits pour des courants de 10A à 15000A, des tensions de 100V à 9000V
- Nous produisons des analogues de produits d'autres fabricants
- Qualité certifiée garantie, période de garantie de fonctionnement - 2 ans
Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
