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AS ENERGIMCC56-08IO1B Double Thyristor Module (60A 800V) IXYS Remplacement
| Numéro de pièce IXYS | MCC56-08IO1B |
| Courant direct moyen, IT(AV) | 60A |
| Tension, VRRM | 800V |
| Paquet Dimensions L×B×H |
TO-240AA-1B 92x20x30 mm |
| Fiche technique |  |
| Remplacement AS ENERGITM | ASMCC56-08-IO1B |
| Ajouter au panier | sur demande
|
Module à Double thyristors ASMCC56-08-IO1B AS ENERGITM est un module de remplacement, un analogue, une alternative et un module de thyristor à semi-conducteur discret MCC56-08IO1B IXYS, également connu sous le nom de Littelfuse ou Westcode.
Courant direct moyen ITAV – 60 ampère, tension inverse de crête répétitive VRRM – 800V. Le module thyristor-thyristor à deux positions MCC56-08IO1B ont un demi-pont circuit de commutation (cathode-anode commune).
Les modules à thyristors se caractérisent par une grande capacité de cyclage électrique et thermique, ce qui signifie une grande fiabilité et une longue durée de vie dans les modes de fonctionnement intensifs, une faible fuite de courant et une faible chute de tension directe. Les modules à thyristors sont logés dans un boîtier standard, ce qui facilite leur intégration dans les équipements existants.
Les modules à Double thyristor sont utilisés dans divers équipements de puissance - unités de puissance et de contrôle, pour les configurations de ponts monophasés et triphasés, régulateurs de puissance, régulateurs CA, contrôle de moteurs CC, démarreurs progressifs de moteurs CA, convertisseurs, contrôleurs de hauts fourneaux ou de processus chimiques, équipements de soudage, pour les convertisseurs CA.
Nos modules sont proposés dans plusieurs topologies à double ou simple dispositif pour presque toutes les applications de contrôle de phase ou de redressement.
Notre société offre une garantie de qualité pour les modules à double thyristor de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la fourniture de modules à double thyristor, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des modules à double thyristor dépend de la classe, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales du Module à Double thyristor MCC56-08IO1B IXYS et Remplacement:
| Spécifications du module thyristor | MCC56-08IO1B | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | ITAV | 60 A |
| Tension inverse pulsée répétitive | VRRM | 800 V |
| Courant de choc | ITSM | 1500 A |
| Courant efficace maximal à l'état passant | IT(RMS) | 100 A |
| Facteur de sécurité | I2t | 11.3 kA2·s |
| Tension de seuil | VT(TO) | 0.85 V |
| Courant RMS | IRMS | 200 A |
| Résistance aux pentes | rT | 3.70 mΩ |
| Temps d'arrêt | tq | 150 μs |
| Tension de déclenchement de la porte | VGT | 1.5 V |
| Courant de déclenchement de la porte | IGT | 100 mA |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier | Rth(JC) | 0.45 K/W |
| Résistance thermique entre le boîtier et le dissipateur | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Conception (interrupteurs) | - | double composante |
| Type (schéma) | - | thyristor-thyristor |
| Poids | W | 81 g |
| Paquet Dimensions, mm |
L×B×H | TO-240AA-1B 92x20x30 mm |
| Couple de montage | MD | 2.5-4 Nm |
| Remplacement AS ENERGITM | type | ASMCC56-08-IO1B |
| Fiche technique | |
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Guide de numérotation des pièces pour le Module à Double thyristors ASMCC56-08-IO1B:
| AS | M | CC | 56 | – | 08 | – | I | O | 1B |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Groupe de produits : Module semi-conducteur discret. |
| CC | – | Topologie du circuit : deux thyristors en demi-pont (cathode-anode). |
| 56 | – | Courant moyen ITAV, A. |
| 08 | – | Code de tension x 100 = VRRM. |
| I | – | Critique dv/dt 1000 V/μs. |
| O | – | Temps d'arrêt typique. |
| 1B | – | Version numéro de pièce. |
Dimensions du module à double thyristor MCC56-08IO1B et Remplacement ASMCC56-08-IO1B:
TO-240AA-1B
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Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
