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AS ENERGIModule IGBT FF650R17IE4D_B2 (650A 1700V) Infineon Remplacement
| Numéro de pièce Infineon | FF650R17IE4D_B2 |
| Courant nominal de collecteur, ICnom | 650А |
| Tension collecteur-émetteur, VCES | 1700V |
| Paquet Dimensions L×B×H |
PrimePACK™ 2 172x89x36.5 mm |
| Fiche technique |  |
| Remplacement AS ENERGITM | AMFF650R17IE4D_B2 |
| Ajouter au panier | sur demande
|
Modules de l'IGBT AMFF650R17IE4D_B2 AS ENERGITM est un remplacement, un analogue, une alternative et un équivalent pour le module IGBT FF650R17IE4D_B2 Infineon. Courant continu du collecteur IC – 650 ampère, tension collecteur-émetteur VCES – 1700V.
Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant.
Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont utilisés comme éléments de commutation pour les convertisseurs de puissance des entraînements à vitesse variable pour les moteurs, les entraînements à onduleur CA, les onduleurs, les soudeuses électroniques, les hacheurs de freinage, les alimentations sans interruption, etc. Les topologies disponibles comprennent le demi-pont, l'interrupteur simple, le sixpack, le 3-niveaux et bien d'autres encore, couvrant ainsi tous les domaines d'application.
Le module de puissance IGBT devient le dispositif préféré pour les applications de haute puissance en raison de sa capacité à améliorer les performances en matière de commutation, de température, de poids et de coût.
Les spécifications techniques du module IGBT FF650R17IE4D_B2 et AMFF650R17IE4D_B2, pdf Fiche technique, topologie de connexion interne, Aperçu dessin et dimensions sont listées ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les modules IGBT de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la fourniture de modules IGBT, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des modules IGBT dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales du module IGBT FF650R17IE4D_B2 Infineon et du module de remplacement AMFF650R17IE4D_B2:
| Spécifications du module IGBT | FF650R17IE4D_B2 | |
| IGBT | ||
| Courant continu du collecteur | IC | 650 A |
| Tension collecteur-émetteur | VCES | 1700 V |
| Charge inductive | RG | 1 Ω |
| Résistance interne de la porte | RGint | 2.3 Ω |
| Dissipation d'énergie lors de la mise sous tension | Eon | 280 mJ |
| Dissipation d'énergie pendant l'arrêt | Eoff | 230 mJ |
| Diode | ||
| Courant direct continu en courant continu | IF | 650 A |
| Tension directe (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.15 V |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier | RthJC | 52.5 K/W |
| Résistance thermique entre le boîtier et le dissipateur | RthCH | 22.0 K/W |
| Résistance thermique, de la jonction au dissipateur | RthJH | - |
| Température dans les conditions de commutation | Tvj | 150 °C |
| Module | ||
| Topologie du circuit | - | |
| Poids | W | 825 g |
| Dessin, paquet, Dimensions, mm | L×B×H | PrimePACK™ 2 172x89x36.5 mm |
| Remplacement AS ENERGITM | type | AMFF650R17IE4D_B2 |
| Fiche technique | |
|
Guide de numérotation des pièces pour le module IGBT AMFF650R17IE4D_B2:
| A | M | FF | 650 | R | 17 | IE4D_B2 |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Type de semi-conducteur: Modules de l'IGBT. |
| FF | – | Module Topologie. |
| 650 | – | Valeur nominale actuelle, Amp. |
| R | – | Fonctionnalité. |
| 17 | – | Classe de tension collecteur-émetteur VCES / 100. |
| IE4D_B2 | – | Variation de la construction. |
Dimensions du module IGBT FF650R17IE4D_B2 et remplacement AMFF650R17IE4D_B2:
PrimePACK™ 2
Schéma de circuit du module IGBT FF650R17IE4D_B2 et remplacement AMFF650R17IE4D_B2:
Topologie
Semi-conducteurs de haute puissance par AS ENERGI
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Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Pourquoi choisir AS ENERGITM
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Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
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AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
