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AS ENERGIDiode à récupération rapide VS-SD853C30S50K Vishay Remplacement
| Numéro de pièce Vishay | VS-SD853C30S50K |
| Courant direct moyen, IF(AV)M (TC) | 990A (55ºC) |
| Tension, VRRM | 3000 V |
| Dimensions ØDxØdxH | 74.5x47.5x27.5 mm |
| Fiche technique |  |
| Remplacement AS ENERGITM | ASDD853C30S50K |
| Ajouter au panier | sur demande
|
Diode à récupération rapide ASDD853C30S50K AS ENERGITM également connu sous le nom de Diode rapide ou Diode à commutation rapide, dans la conception du disque est un dispositif semi-conducteur de remplacement, analogue, alternatif et équivalent pour la diode à récupération rapide VS-SD853C30S50K Vishay Semiconductors.
Courant direct moyen IFAV – 990 ampère, tension inverse de crête répétitive VRRM – 3000V. "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS" pour le refroidissement des diodes sont également disponibles sur commande.
La particularité des diodes est leur récupération rapide (temps de récupération inverse court trr et faible charge de récupération) et leur application à des fréquences élevées. Les diodes ont une capacité de transport de courant élevée à haute fréquence.
Caractéristiques de diodes à récupération rapide: optimisées pour la fréquence de ligne; faible temps de récupération inverse; vitesse de commutation élevée; faibles pertes à l'état passant; tension inverse élevée et capacité de traitement des courants élevés; boîtier céramique standard press pack; conçues pour les applications industrielles de haute puissance et de transmission d'énergie. Leurs principales applications sont les redresseurs pour les convertisseurs DC-DC et les onduleurs, les redresseurs à haute fréquence, les alimentations à découpage.
Diodes à récupération rapide AS ENERGITM présentent les caractéristiques suivantes: boîtier aux normes industrielles; faibles pertes statiques et dynamiques, valeurs élevées de VRRM/VRSM, vaste expérience de l'utilisation des appareils dans diverses industries, gamme de tensions de 100 à 9000 V et d'ampérages de 10 à 15000 A, haute résistance aux cycles thermiques et électriques.
Les spécifications techniques et les paramètres du VS-SD853C30S50K et du remplacement ASDD853C30S50K, la fiche technique PDF, le schéma et les dimensions sont énumérés ci-dessous.
Notre société offre une garantie de qualité pour les diodes de 2 ans à compter de la date d'achat. Lors de la livraison des diodes, nous fournissons, si nécessaire, un passeport technique et un certificat de conformité.
Le prix final des diodes à récupération rapide dans la conception des disques dépend de la classe de tension, de la quantité, des conditions de livraison, du fabricant, du pays d'origine et du mode de paiement.
Spécifications générales de la Diode à Récupération Rapide Vishay et Remplacement:
| Spécifications des diodes | VS-SD853C30S50K | |
| Courant direct moyen maximal admissible (température du boîtier) | IF(AV)M (TC) | 990 A (55ºC) |
| Tension de blocage inverse de crête répétitive maximale | VRRM | 3000 V |
| Courant direct de pointe de surtension | IFSM | 19000 A |
| Temps de récupération inversé | trr | 5.0 μs |
| Facteur de sécurité | I2t | 1810 kA2·s |
| Tension de seuil | VF(T0) | 1.67 V |
| Résistance à la pente avant | rT | 0.65 mΩ |
| Température de la jonction p-n | Tvj max | 125 ºC |
| Résistance thermique, de la jonction au boîtier | Rth(j-c) | 0.0019 K/W |
| Force de serrage | Fm | 22.25 kN |
| Poids | W | 425 g |
| Paquet (boîtier) | type | K-PUK (DO-200AC) |
| Dimensions | ØDxØdxH | 74.5x47.5x27.5 mm |
| Remplacement AS ENERGITM | type | ASDD853C30S50K |
| Fiche technique | |
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Guide de numérotation des pièces pour Diodes à récupération rapide:
| AS | DD | 85 | 3 | C | 30 | S50 | K |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| DD | – | Groupe de produits: Disque à diodes à récupération rapide. |
| 85 | – | Numéro de pièce essentiel. |
| 3 | – | Récupération rapide. |
| C | – | Céramique PUK. |
| 30 | – | Classe de tension VRRM x 100. |
| S50 | – | trr code. |
| K | – | PUK cas K-PUK (DO-200AC). |
Polarité (anode, cathode) des diodes à disque du redresseur de puissance:
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Semi-conducteurs de haute puissance AS ENERGITM
Notre société est engagée dans la fabrication et la vente d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance
(thyristors de puissance, modules, diodes de redressement, diodes d'avalanche, de rotor et de soudage,
triacs, etc.) avec des courants allant jusqu'à 15 000 A et des tensions allant jusqu'à 9 000 V, ainsi que
des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Vous pouvez acheter des dispositifs à semi-conducteur dans
n'importe quel volume, et lorsque vous commandez des lots importants, le prix sera plus bas. Nous avons
gagné la confiance de nos clients et fournissons des produits dans le monde entier.
Pour toute question concernant l'acquisition de Thyristors, Diodes et Modules de puissance, envoyez une demande par courrier électronique à l'adresse suivante:
Et nous vous fournirons une offre commerciale pour la livraison.
Pour un grand nombre de personnes, nous fournirons un prix individuel!!!
Nous sommes disposés à fabriquer des produits dans nos installations de production en fonction de vos demandes et de vos tâches techniques.
Galerie de photos
Galerie de photos montre de nombreux dispositifs à semi-conducteurs, puces à semi-conducteurs et SCR produits par AS ENERGITM, exemples de rapports d'essais.
Dissipateurs thermiques pour diodes à disque de redressement de puissance:
Les dissipateurs thermiques (radiateurs) sont utilisés pour le refroidissement unilatéral et bilatéral des dispositifs semi-conducteurs de puissance dans la conception des disques.
Les dissipateurs de chaleur des refroidisseurs sont fabriqués à partir de profilés de radiateur en aluminium et ne nécessitent pas de revêtement protecteur supplémentaire lorsqu'ils sont utilisés dans des conditions climatiques variées.
Des dissipateurs de chaleur à air et à eau pour le refroidissement des diodes de redressement sont également disponibles sur commande.
Voir pour plus d'informations sur les dissipateurs: "Dissipateurs refroidis par air série O pour dispositifs à disque", "Radiateur à air série SF", "Dissipateur thermique à eau série SS".
Photo des diodes de redressement:
Pourquoi choisir AS ENERGITM
- Installations de production propres, y compris la production de puces en silicium pour semi-conducteurs
- Marque européenne - qualité à 100 %, prix avantageux, délais de production courts
- Plus de 20 ans d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs
- Des clients de plus de 50 pays nous font confiance
- 20000 articles dans la gamme de produits pour des courants de 10A à 15000A, des tensions de 100V à 9000V
- Nous produisons des analogues de produits d'autres fabricants
- Qualité certifiée garantie, période de garantie de fonctionnement - 2 ans
Garantie de qualité
Nos produits sont certifiés et correspondent aux normes internationales.
Notre société offre une garantie de qualité pour les produits de 2 ans.
Nous fournissons des certificats de conformité, des rapports de fiabilité, des fiches techniques et des passeports techniques à la demande du client.
Chaque produit est testé pour les principaux paramètres, et des rapports de test des paramètres pour chaque produit sont fournis.
Géographie du partenariat
AS ENERGITM l'entreprise fabrique et fournit des semi-conducteurs de puissance à plus de 50 pays dans le monde.
Logistique et livraison
Nous livrons nos produits dans le monde entier grâce aux services de sociétés de logistique : DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Les produits peuvent être livrés par tous les moyens de transport : aérien, maritime, ferroviaire et routier.
AS ENERGITM Fabrication de semi-conducteurs
Notre gamme de produits comprend des diodes de redressement, des thyristors de contrôle de phase à disque et à goujon, des diodes et thyristors à avalanche, des thyristors à commutation rapide et à haute fréquence, des diodes à récupération rapide, des diodes de soudage et de rotor, des triacs, des ponts redresseurs, des modules de puissance (thyristor, diode, thyristor-diode, IGBT), ainsi que des dissipateurs de chaleur à air et à eau.
Les diodes de puissance et les thyristors sont produits pour des courants de 10A à 15000A et des tensions de 100V à 9000V.
Les modules de diodes de puissance et de thyristors sont produits à partir de 25A et jusqu'à 1250A, dans une gamme de tension allant de 400V à 4400V.
La gamme de semi-conducteurs de puissance comprend également des dispositifs semi-conducteurs équivalents, de remplacement, analogiques et alternatifs de fabricants mondiaux.
Produits vedettes:
